Aluminium Nitrid Aktiv Metal Loddet (AMB) Keramisk Struktur - Aluminium Nitrid Keramik

AMB (Active Metal Brazing) er til sammenføjning af keramik, der ikke vådges af "konventionelle" loddemidler. Ved at anvende aktivt metal som titanium, der tilsættes loddemetallegemet, opnås der en kemisk reaktion med overfladen af den underliggende keramik. På grund af koefficienten for termisk udvidelse af Al2O3 (7,1 ppm/K), Si3N4 (2,6 ppm/K) og AlN (4,7 ppm/K), som er tæt på den for silicium (4 ppm/K), er Direct Bond Copper (DBC) og AMB egnede substrater til robust emballering af bare chips, da sådanne samlinger. AMB er den lovende tykke filmteknologi, der kan anvendes til Power Electronics, Automotive Electronics, Home Appliances, Aerospace, Andre. INNOVACERA tilbyder DBC, DPC og AMB-teknologi til tilpassede keramiske substrater, velkommen til at konsultere mere. Bulk Density(g/cm3): :3.335 Volume Resistivity(Ω .cm): :1.4*1014 Surface roughness Ra(μm): :0.3-0.5 Thermal conductivity: :≥ 170 W/m.K Flexural Strength(MPa): :382.7