Aluminiumnitridkeramik

Med sine egenskaber inden for elektrisk isolering og fremragende varmeledningsevne er aluminiumnitrid (AlN)-keramik ideel til anvendelser, hvor varmeafledning er nødvendig. Derudover anvendes det til komponenter i halvlederbehandlingsudstyr, da det har en varmeudvidelseskoefficient (CTE), der ligger tæt på den for silicium, samt en fremragende plasmaresistens. Hovedindhold: 96 % AlN Skuffedensitet (g/cm³): 3,335 Bøjefasthed (MPa): 382,70 Dielektrisk konstant (1 MHz): 8,56 Varmeledningsevne (30 grader Celsius): >= 170 Volumenmodstand (Ω.cm) (20 grader Celsius): 1,4*10¹⁴